La siguiente etapa de diseño de nuestro receptor regenerativo
corresponde a la etapa de amplificación ya que las señales capturadas por el
circuito de sintonía tienen valores de tensión muy pequeños (alrededor de los
5mV) y deben ser amplificados a los 200-300mV para que pueda pasar a la
siguiente etapa del receptor que es el detector de envolvente, el cual no
funcionaría si no se realiza esta etapa de amplificación.
El
amplificador a diseñar debe tener una resistencia de entrada muy alta y un
factor de amplificación de 100V/V o 40db. Además debe de ser capaz de trabajar
en el rango de frecuencias comprendido entre 550kHz y 1500kHz. Para la
implementación del mismo se utilizarán transistores bipolares. Es por esto que
en las últimas dos sesiones de clase se estudiaron y repasaron las
características funcionales y operativas más importantes de los diodos y
transistores, utilizando el concepto de los primeros para comprender con mayor
facilidad los segundos. El esquema de los transistores NPN se muestra a
continuación:
Destacando
que el caso del transistor, una ligera variación del Voltaje Base-emisor (VBE) implicará una variación del orden exponencial en la corriente
que circula por el emisor IE. Esto se debe a
que la corriente del emisor viene dada por la siguiente ecuación:
Adicionalmente, como la corriente por
el emisor es aproximadamente igual a la corriente que circula por el colector
se tiene que si aumenta la corriente IE la
intensidad del colector experimentará también una gran variación que se transforma
en una gran variación de tensión en la
resistencia que será colocada en el colector del transistor. Sin embargo, para
que ocurra esta variación debe polarizarse el transistor para que esté ubicado
en su zona activa de funcionamiento.
Para que el
transistor esté en su zona activa se tiene que el voltaje de base-emisor VBE debe ser mayor que cero, al igual que el voltaje del colector
con respecto a la base VCB.
Por su parte, todas las
corrientes del circuito IB, IE
e IC deben ser positivas.
En las próximas sesiones de clases,
se realizará el análisis de circuitos amplificadores con transistores bipolares
NPN polarizados en su zona activa, utilizando modelos circuitales para su
análisis.
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